台联电研制192GHz电路 向THz进军

  台联电今日宣告现已研制出130nm工艺的压控振荡器(VCO)，其作业频率高达创纪录的192GHz，并且台联电以为在不远的将来即可到达THz等级。

  据台联电称，该芯片是由佛罗里达大学电子与计算机工程部硅微波集成电路与体系研制小组(SIMICS)开发的。这一效果的完成得益于CMOS技能的运用。

  台联电还表明现已将90nm工艺VCO的频率提高到了140GHz，并方案逐渐提高到280GHz，而65nm工艺芯片有望到达350-400GHz，而台联电片上体系首席架构师Patrick T. Lin称，在那之后，“THz等级信号在CMOS技能中将成为实际”。

  VCO一般用于RF/无线体系，而上百GHz的高频VCO可用于先进的长途勘探和成像使用，如化学品勘探、纤维穿越勘探、云雾穿越成像、皮肤癌检测等。